真空鍍膜（mó）就是置待鍍材料和被鍍基板於真空室內，采用一定方法加熱待鍍（dù）材料，使之蒸發或升華，並飛（fēi）行濺（jiàn）射到被鍍基板（bǎn）表麵凝聚成膜的工藝。
    在真空條件下成膜有很多優點：可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中於分子（zǐ）的碰撞，減少（shǎo）氣體中（zhōng）的活性分子和蒸發源（yuán）材料間的化學反應（如氧化等），以及減（jiǎn）少成膜過程中氣體分（fèn）子進入（rù）薄膜中成為雜質（zhì）的量，從而提供膜層的致密（mì）度、純度、沉（chén）積（jī）速（sù）率和與基板的附著力。通常真空蒸（zhēng）鍍要求成膜室內壓（yā）力等於或低於10-2Pa，對於蒸發源與基板（bǎn）距離較遠和薄（báo）膜質量要求很高的場合，則要求壓力更低。
    主要（yào）分為一下幾類：
    蒸發鍍膜（mó）、濺射鍍膜和離（lí）子鍍。
    蒸發鍍膜：通過加熱（rè）蒸發某種物（wù）質（zhì）使其（qí）沉積在固體表麵，稱為（wéi）蒸（zhēng）發（fā）鍍膜。這種方法最早由M.法拉第於1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。
    蒸發物質如金屬、化合物等置於（yú）坩堝內或掛在熱絲上（shàng）作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待係統（tǒng）抽至高（gāo）真空後，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的（de）原子或分子以冷凝方式沉積在基片表麵。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚（hòu）決定於蒸發源的蒸發速（sù）率和時間（或決定於裝料量），並與源和基片的距離有關。對於大麵積鍍膜，常采用旋（xuán）轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸（zhēng）發源到基片的距離應（yīng）小於蒸氣（qì）分子在（zài）殘餘氣體中的平均自（zì）由程，以免蒸（zhēng）氣分子與殘氣分子（zǐ）碰撞引起化學作用（yòng）。蒸氣分子平均動能約（yuē）為0.1～0.2電（diàn）子伏。
    蒸發源有三種（zhǒng）類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質（zhì）（圖1[蒸發鍍膜（mó）設備示意（yì）圖]）電阻加（jiā）熱源主要用於蒸發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等（děng）材料。②高頻感應加熱源：用高頻感應電流加熱坩（gān）堝（guō）和蒸發物質（zhì）。③電子束加熱源：適用於蒸發溫度較高（不低於2000[618-1]）的材（cái）料，即用電子束轟擊材料使其蒸發。
   蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具（jù）有較高的沉積速率，可鍍製單質和不易熱分解（jiě）的化合物（wù）膜。
   為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外（wài）延方法。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分（fèn）子束外延（yán）裝置如（rú）圖2[ 分子束外延裝置示（shì）意圖]。噴射爐中裝有分子（zǐ）束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度（dù）時，爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度，沉積在（zài）基片上的分子（zǐ）可以徙動，按基片晶（jīng）格次序生長結晶用分（fèn）子（zǐ）束外延法（fǎ）可獲得所需化學計量比的高純（chún）化合（hé）物單晶膜，薄膜最慢生長速度（dù）可控製在1單層／秒。通過控（kòng）製擋板,可精確（què）地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子（zǐ）束外延法廣泛用於製造各種光集（jí）成（chéng）器件和各種超晶格（gé）結構薄（báo）膜。
   濺射鍍（dù）膜：用高能粒子轟（hōng）擊固體表麵時能使固體表麵的粒子獲得能量並逸出表麵（miàn），沉積在基片上（shàng）。濺射現象於1870年開始用於鍍膜技術，1930年以後由於提高了（le）沉積（jī）速率而逐（zhú）漸用於工業生產。常用的二極濺射設備如圖3[ 二極濺射示意圖]。通（tōng）常將欲沉積的材料製成板材——靶,固定在陰極上。基片置於正對靶麵的陽極上,距靶幾厘（lí）米。係統抽至高真（zhēn）空後充入 10-1帕的氣體（通常為氬氣），在陰極和陽極間加幾千伏電壓，兩極間即產生輝光（guāng）放電。放電產生的正離（lí）子在電場作（zuò）用下（xià）飛（fēi）向陰極，與（yǔ）靶表麵原（yuán）子碰撞，受碰撞從靶麵逸出的靶原（yuán）子稱為濺射原（yuán）子,其能量在1至幾十電子伏範圍。濺（jiàn）射原子在基片表麵沉積成膜。與蒸發鍍膜不同，濺射鍍膜（mó）不受膜材熔點的限製,可濺射（shè）W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質。濺射化合物膜（mó）可用反應濺射法（fǎ），即將反（fǎn）應氣體 (O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應氣體（tǐ）及其離子（zǐ）與靶原子或濺（jiàn）射原（yuán）子發生反應生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉積在（zài）基（jī）片上。沉積絕（jué）緣膜可采用高頻濺射法。基片裝在接地（dì）的電極上，絕（jué）緣靶裝在對麵的電極上。高頻電源一端接地，一端（duān）通過匹配（pèi）網絡（luò）和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高（gāo）頻電源後，高頻電（diàn）壓（yā）不斷改變極（jí）性。等離子體中的電子（zǐ）和（hé）正離子在電壓（yā）的正半周和負半周（zhōu）分別打到絕緣靶上。由於電子（zǐ）遷移率高於正離子，絕緣靶表麵帶負電（diàn），在達到動態平（píng）衡時，靶處（chù）於負的偏置電位，從而使正離子對靶的濺射持（chí）續進（jìn）行。采用（yòng）磁控濺射可使沉積速（sù）率比非磁控濺射提（tí）高近一個數量級。
   離子鍍：蒸發物質的（de）分（fèn）子被電子碰撞電離後（hòu）以離子沉積在固體表麵，稱為離子鍍。這種技術是D.麥托克斯於1963年提出的。離子鍍是真（zhēn）空蒸發與陰極濺射技術的結合。一（yī）種離子鍍係統如圖4[離子鍍係統示意圖],將基（jī）片台（tái）作為陰極，外殼作陽極，充入惰性氣體（tǐ）（如氬）以產生輝光放電。從蒸發源蒸發的分子通過等離子（zǐ）區時發生電離。正離子被基片台負電壓加速打到基片表麵。未電離的中性原子（約占蒸發料的95％）也沉積（jī）在基片或真空室壁（bì）表麵。電場對離化的蒸氣分子的加速作用（離子（zǐ）能（néng）量（liàng）約幾（jǐ）百～幾千電子伏）和氬離子對基片的（de）濺射清洗作用，使膜（mó）層附著強度大大（dà）提高。離子鍍工藝綜合了（le）蒸發（高沉積速（sù）率）與濺射（良好（hǎo）的膜層附著力）工藝（yì）的特點，並有很（hěn）好的繞射性，可為形狀複雜的工件鍍膜（mó）。

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