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磁控濺射技術的(de)優缺點分析介紹

作者: 來源: 日期:2019-04-17 23:44:10 人氣:1260
        磁控濺射技術自誕生以來,得到(dào)了較(jiào)快的發展和較廣的應用,對其他鍍膜方法的(de)發展產生了很(hěn)大的影響。通過大量的實踐,柚子影视:精彩影视作品尽在柚子影视平台真空總結出這種技術的優缺點,如下文所示(shì)。

  優點:
  1.沉積速率高,襯底(dǐ)溫升低,對薄膜損傷小;
  2.對於大(dà)多數(shù)材料,隻要(yào)能製造(zào)出靶材,就可以實現濺射;
  3.濺射得到的薄膜與基底(dǐ)結合良好;
  4.濺射(shè)得到的薄膜純度較高,密度好,均勻(yún)性好;
  5.結果表明,濺射工藝具有良好的重複性,在大麵(miàn)積襯底上可獲得厚度均勻的薄膜;
  6.可以準確控製塗層厚度,通過(guò)改變參數(shù)來控製薄膜的粒徑;
  7.不同的金(jīn)屬、合金和氧化物(wù)可以混合,同時濺射在基體上;
  8.易(yì)於工業化。


  但是磁控濺射也存在一些問題
  1.該技術所使用的環形磁場迫使次級電子圍繞(rào)環形磁場(chǎng)跳躍。因此,由環形磁場控製的區域是等(děng)離子體密度較高的區域。在該技術中,我們可(kě)以看到濺(jiàn)射氣體氬在這一區域(yù)發(fā)出強烈的淡(dàn)藍色光芒(máng),形成光(guāng)暈。光暈下的靶是離子轟擊比較嚴重(chóng)的部分,它會濺出(chū)一個圓形的溝槽。環形磁場是電子運動的軌(guǐ)道,環形輝光和溝槽(cáo)生動地表現了這一(yī)點。靶(bǎ)材的濺射槽一(yī)旦穿透靶材,整個靶材就會報廢,靶材(cái)利用率不高,一般低於40%;
  2.等離子體不穩定;
  3.由於(yú)基本的磁通量均不能通過(guò)磁性靶,所以在靶麵附近不可能產生外加磁場。
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